Un transistor à jonction bipolaire (BJT) est un type de transistor qui utilise à la fois des électrons et des trous d'électrons comme porteurs de charge. En revanche, un transistor unipolaire, tel qu'un transistor à effet de champ, n'utilise qu'un seul type de porteur de charge. Un transistor bipolaire permet à un petit courant injecté à l'une de ses bornes de contrôler un courant beaucoup plus important circulant entre les bornes, rendant le dispositif capable d'amplification ou de commutation.

Les BJT utilisent deux jonctions entre deux types de semi-conducteurs, le type n et le type p, qui sont des régions dans un seul cristal de matériau. Les jonctions peuvent être réalisées de plusieurs manières différentes, telles que la modification du dopage du matériau semi-conducteur au fur et à mesure de sa croissance, en déposant des pastilles métalliques pour former des jonctions d'alliage, ou par des méthodes telles que la diffusion de substances dopantes de type n et de type p dans le cristal. La prévisibilité et les performances supérieures des transistors à jonction ont rapidement remplacé le transistor à contact ponctuel d'origine. Les transistors diffus, ainsi que d'autres composants, sont des éléments de circuits intégrés pour des fonctions analogiques et numériques. Des centaines de transistors bipolaires à jonction peuvent être réalisés dans un seul circuit à très faible coût.

Les circuits intégrés à transistors bipolaires étaient les principaux dispositifs actifs d'une génération d'ordinateurs centraux et de mini-ordinateurs, mais la plupart des systèmes informatiques utilisent désormais des circuits intégrés reposant sur des transistors à effet de champ. Les transistors bipolaires sont encore utilisés pour l'amplification des signaux, la commutation et dans les circuits numériques. Des types spécialisés sont utilisés pour les commutateurs haute tension, pour les amplificateurs radiofréquence ou pour commuter des courants élevés.

William Bradford Shockley Jr. (13 février 1910 - 12 août 1989) était un physicien et inventeur américain. Il était le directeur d'un groupe de recherche aux Bell Labs qui comprenait John Bardeen et Walter Brattain. Les trois scientifiques ont reçu conjointement le prix Nobel de physique 1956 pour "leurs recherches sur les semi-conducteurs et leur découverte de l'effet transistor".

En partie à la suite des tentatives de Shockley de commercialiser une nouvelle conception de transistor dans les années 1950 et 1960, la "Silicon Valley" de Californie est devenue un foyer d'innovation électronique. Plus tard, alors qu'il était professeur de génie électrique à l'Université de Stanford, Shockley est devenu un partisan de l'eugénisme. Une étude de 2019 dans la revue Intelligence a révélé qu'il était le deuxième chercheur en renseignement le plus controversé (derrière Arthur Jensen) parmi 55 personnes couvertes.